Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S209
IPB80N06S209ATMA1 Hakkında
IPB80N06S209ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8.8mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüler, DC-DC konvertörler, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 190W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile termal yönetimi uygun tasarımlanmış devrelerde etkili bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok