Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S207ATMA1
IPB80N06S207ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB80N06S207ATMA1, 55V drain-source gerilim aralığında çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 80A sürekli drain akımı kapasitesi ve 6.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybıyla anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklık aralığı, geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar. Gate kapasitansi 3400pF (25V'de) ve gate yükü 110nC (10V'de) olup, hızlı anahtarlama davranışı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 68A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok