Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S403JEATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S403
IPB80N04S403JEATMA1 Hakkında
IPB80N04S403JEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ maksimum on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyumludur. -55°C ile 155°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama regülatörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 53µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok