Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S403
IPB80N04S403ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB80N04S403ATMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışabilen 80A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 3.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 94W maksimum güç tüketimi ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 53µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok