Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3H4ATMA1 Hakkında
IPB80N04S3H4ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 4.5mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 60nC ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 115W maksimum güç tüketebilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok