Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S306ATMA1
IPB80N04S306ATMA1 Hakkında
IPB80N04S306ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance (Rds On: 5.4mOhm @ 80A, 10V) karakteristiği ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 100W maksimum güç dağılımında işletilir. Motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Vgs(th) threshold gerilimi 4V olup, ±20V maksimum gate geriliminde çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok