Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S3-04
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S3
IPB80N04S3-04 Hakkında
IPB80N04S3-04, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source voltaj ve 80A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 4.1mΩ düşük on-state direnci ve 80nC gate charge değerleriyle verimli çalışma sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde üretilen bu komponent, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ve 136W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel ve otomotiv sistemlerine uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok