Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N04S2L03
IPB80N04S2L03ATMA1 Hakkında
IPB80N04S2L03ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.1mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. NOT: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 213 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok