Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N03S4L-03ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N03S4L
IPB80N03S4L-03ATMA1 Hakkında
IPB80N03S4L-03ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 94W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi, çeşitli elektrik ve elektronik sistemlerinde güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok