Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB77N06S3
IPB77N06S3-09 Hakkında
IPB77N06S3-09, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 77A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.8mΩ @ 39A, 10V) sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında 107W güç yayınlayabilir. Surface mount montaj tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, ±20V gate-source gerilimi ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5335 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 39A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok