Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB77N06S212ATMA2
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB77N06S212A
IPB77N06S212ATMA2 Hakkında
IPB77N06S212ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 77A sürekli drain akımı özelliğiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir. Düşük on-resistance (11.7mOhm @ 38A, 10V) ile ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu MOSFET, 158W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle ağır yük uygulamalarına uygun bir tasarımdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok