Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB77N06S212ATMA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB77N06S212ATMA1
IPB77N06S212ATMA1 Hakkında
IPB77N06S212ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 77A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-263-3 (D²Pak) paketlemede sunulmaktadır. 11.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yük anahtarlaması gibi devrelerde kullanılır. 158W maksimum güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanı vardır. Surface mount montajla üretim kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok