Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB720P15LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB720P15L
IPB720P15LMATMA1 Hakkında
IPB720P15LMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, Trench teknolojisine dayalı olarak 72mΩ maksimum RDS(on) değeri sunmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde temin edilen transistör, -55°C ile 175°C arasında stabil işletme sağlayabilir. 37A'de 10V gate voltajında çalışma kapasitesine sahip olup, 300W (Tc) maksimum güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, 224nC gate charge ve düşük kapasitans değerleri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 37A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 5.55mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok