Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB70P04P409ATMA2
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB70P04P409
IPB70P04P409ATMA2 Hakkında
IPB70P04P409ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V Vdss ve 72A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 9.1 mOhm RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerine, motorlu uygulamalara ve anahtarlama çevreleriyle ilgili endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 75W maksimum güç dağılımıyla soğuk ve sıcak ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok