Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB70N10S3L12
IPB70N10S3L12ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB70N10S3L12ATMA1, 100V drain-source gerilim ve 70A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 11.8mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kanat direnci sağlar. 80nC gate charge ve 5550pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımla çalışan anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 125W maksimum güç tüketimi ile termik yönetim gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok