Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB70N10S312ATMA1
IPB70N10S312ATMA1 Hakkında
IPB70N10S312ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 70A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (11,3mΩ @ 70A, 10V) sayesinde düşük güç kaybı ile yüksek verimlilik sunar. TO-263-3 (D²Pak) kasa türü ile surface mount uygulamalara uygun olan transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 125W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok