Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R600C6ATMA1
IPB65R600 - 650V AND 700V COOLMO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R600
IPB65R600C6ATMA1 Hakkında
IPB65R600C6ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. CoolMOS teknolojisine dayanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 7.3A drain akımı ve 600mΩ maksimum kapalı direnç (Rds On) ile tasarlanmıştır. TO-263-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, UPS sistemleri ve fotovoltaik invertörlerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 63W maksimum güç yayılımına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok