Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R380C6
IPB65R380C6ATMA1 Hakkında
IPB65R380C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V yüksek yalıtma voltajı ve 10.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürücüler ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok