Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R310CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R310CFDA
IPB65R310CFDAATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPB65R310CFDAATMA1, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 11.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 310mΩ maksimum RDS(On) değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında, endüstriyel SMPS, motor kontrol devreleri, solar inverterleri ve benzer uygulamalarda tercih edilir. 41nC gate charge ve 10V sürücü gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok