Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R280E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R280E6
IPB65R280E6ATMA1 Hakkında
IPB65R280E6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 13.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan bu FET, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 104W güç dağılımı kapasitesi ve ±20V gate voltajı ile çeşitli endüstriyel ve elektronik sistemlerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok