Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R230CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R230CFD7
IPB65R230CFD7AATMA1 Hakkında
IPB65R230CFD7AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 230mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge karakteristiği 23nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, motor kontrol, güç yönetimi ve elektriksel dağıtım sistemleri gibi otomotiv uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 63W güç yayınlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1044 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok