Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R225C7
IPB65R225C7ATMA2 Hakkında
IPB65R225C7ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajında 11A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 225mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri ve endüstriyel motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 10V kapı sürü voltajında optimize edilmiş tasarımı, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 996 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok