Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R225C7
IPB65R225C7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB65R225C7ATMA1, 650V dayanım gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) paket formatında sunulan bu bileşen, 225mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışabilen ve -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığına dayanıklı bu MOSFET, yüksek voltaj uygulamalarında güç kontrolü, anahtarlama ve dönüştürme devreleri için tasarlanmıştır. 63W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel sürücüler, elektrik motor kontrolü ve elektrik araçları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 996 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok