Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R190CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R190CFD
IPB65R190CFDATMA1 Hakkında
IPB65R190CFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 17.5A sürekli dren akımı (Id) ve 190mOhm on-state direnci (Rds(on)) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde başarı gösterir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 151W maksimum güç dağılımında uzun vadeli güvenilirlik sunar. Endüstriyel invertör, DC-DC konvertör ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok