Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R190CFDA
IPB65R190CFDAATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 17.5A sürekli drain akımı ve 190mOhm maximum RDS(on) değeri ile DC-DC konvertörleri, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi switching uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzeye monte paket ile kompakt tasarımlar sağlar. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok