Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R190CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R190CFD7
IPB65R190CFD7AATMA1 Hakkında
IPB65R190CFD7AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 14A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 190mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, enerji dönüşümü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok