Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R190C7A
IPB65R190C7ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB65R190C7ATMA2, 650V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipi ile sunulan bu transistör, yüksek gerilim güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. SMPS (Switched Mode Power Supply), adaptörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 72W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok