Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R190C7
IPB65R190C7ATMA1 Hakkında
IPB65R190C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve şarj uygulamalarında tercih edilir. 72W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile güç yönetimi gerektiren devrelerde etkili bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok