Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R150CFD
IPB65R150CFDATMA2 Hakkında
IPB65R150CFDATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 22.4A sürekli besleme akımı ve 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 195.3W güç yayılımına dayanır. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama regülatörleri, UPS sistemleri ve endüstriyel motor kontrol devreleri gibi yüksek voltaj alanlarında kullanılır. 86nC gate şarjı ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok