Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R150CFDATMA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R150C
IPB65R150CFDATMA1 Hakkında
IPB65R150CFDATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu yüksek güç FET, 22.4A sürekli dren akımı ve 150mΩ maksimum on-direnci ile çalışır. 10V gate sürü voltajı ile kontrollenebilen cihaz, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 195.3W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile sunulan transistör; endüstriyel power conversion uygulamaları, AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 86nC gate charge ve 2340pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı komütasyon performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok