Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R150CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R150CFD
IPB65R150CFDATMA1 Hakkında
IPB65R150CFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 22.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paket tipinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolörleri ve anahtarlama regülatörü devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda geniş kullanım alanına sahiptir. Maksimum 195.3W güç tüketimi ve 150mΩ RDS(on) değerleri ile verimlilktedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok