Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R150CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R150CFDA
IPB65R150CFDAATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB65R150CFDAATMA1, 650V açık kaynak N-Channel MOSFET transistörüdür. 22.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. Kapı yükü 86nC ve giriş kapasitesi 2340pF karakteristikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. AC/DC konvertörler, güç kaynakları, motorun hız kontrolü ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montajına uygun yapısı ile kompakt tasarımlar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok