Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R125CFD7
IPB65R125CFD7ATMA1 Hakkında
IPB65R125CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 19A sürekli drenaj akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 36nC gate charge ve 1694pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel kontrol, invertör, motor sürücüleri ve güç kaynağı devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1694 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 420µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok