Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R125C7
IPB65R125C7ATMA1 Hakkında
IPB65R125C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate charge değeri 35nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. SMPS devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve otoomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün Digi-Key'de depo dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok