Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R110CF
IPB65R110CFDATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB65R110CFDATMA2, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistörüdür. 31.2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 277.8W'a kadar güç yayabilir. 4.5V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar ve 118nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok