Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R110CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R110CFD
IPB65R110CFDATMA1 Hakkında
IPB65R110CFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 31.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrol uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Üretici tarafından yeni tasarımlar için kullanım önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok