Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R110CFDA
IPB65R110CFDAATMA1 Hakkında
IPB65R110CFDAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 31.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paketiyle sunulmaktadır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 277.8W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle zorlu endüstriyel uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok