Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R099CFD7
IPB65R099CFD7AATMA1 Hakkında
IPB65R099CFD7AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 24A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 99mOhm (10V, 12.5A) on-resistance değeri ile enerji kaybını sınırlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtar modunda çalışan uygulamalarda, güç kaynakları, motor kontrolü, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 127W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2513 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok