Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R090CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R090CFD7A
IPB65R090CFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB65R090CFD7ATMA1, 650V drain-source voltajına sahip N-Channel Power MOSFET transistördür. 25A sürekli drain akımı ve 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 127W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında işlem görebilir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, invertör ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V gate drive voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile hızlı ve güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2513 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok