Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R075CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R075CFD7
IPB65R075CFD7AATMA1 Hakkında
IPB65R075CFD7AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. PG-TO263-3 paketinde sunulan bu komponent, 32A sürekli dren akımı ve 75mOhm (10V, 16.4A) maksimum on-direnç ile karakterizedir. CoolMOS teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu FET, otomotiv uygulamaları için optimize edilmiştir. ±20V maksimum gate voltajı ile kontrol edilebilen komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 171W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama devreleri, elektrik araç driline, güç yönetimi ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3.288 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 820µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok