Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R065C7
IPB65R065C7ATMA2 Hakkında
IPB65R065C7ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 33A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, solar inverter ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 17.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok