Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R045C7
IPB65R045C7ATMA2 Hakkında
IPB65R045C7ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 46A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 45mΩ maksimum on-direnci ile güç kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulur. Güç dönüştürme, motor kontrolü, inverter ve switched-mode güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 227W güç dağıtabilir. ±20V gate gerilimi ile uyumlu kontrolör ve driver devrelerine bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok