Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R045C7
IPB65R045C7ATMA1 Hakkında
IPB65R045C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 46A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D2PAK) paket tipinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve fotovoltaik inverterler gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 45mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kontak kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 227W maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok