Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB65R041CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB65R041CFD7
IPB65R041CFD7ATMA1 Hakkında
IPB65R041CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan cihaz, 41mΩ on-direnç ve 102nC gate charge özelliği ile düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Industrial sürücü devrelerinde, SMPS (Switch Mode Power Supply) uygulamalarında, invertör ve konverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4975 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 24.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok