Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB64N25S320ATMA1
IPB64N25S320ATMA1 Hakkında
IPB64N25S320ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim ve 64A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mΩ düşük RDS(on) değeri ve 300W maksimum güç dağıtımı özelliği sayesinde yüksek verimli anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) kasa tipi ile yüzey montajı yapılabilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok