Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R600P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R600P6
IPB60R600P6ATMA1 Hakkında
IPB60R600P6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 7.3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda görev yapar. 10V gate voltajında 600mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 63W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok