Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R380P6
IPB60R380P6ATMA1 Hakkında
IPB60R380P6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu komponent, 10.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 380mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve endüstriyel elektrik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 83W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ısıl yönetim açısından etkin bir tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 877 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok