Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R360P7
IPB60R360P7ATMA1 Hakkında
IPB60R360P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 9A sürekli dren akımı kapasitesi ve 360mOhm Rds(On) değeri ile güç dönüştürme, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında yer alır. D2PAK (TO-263) paket tipi, yüzey montaj kurulumunu destekler. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari cihazlarda, DC/DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ve 13nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok