Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R330P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R330P6
IPB60R330P6ATMA1 Hakkında
IPB60R330P6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 330mΩ maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponentin -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklı uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kaptan yüklenmesi ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlarda yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok