Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R299CP
IPB60R299CPATMA1 Hakkında
IPB60R299CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevleri için kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 299mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç dönüştürme devreleri ve elektrik aygıtlarında yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok